1、時間是物質(zhì)運動和存在的基本屬性之一,精密的時間作為科學研究、科學實驗和工程技術諸方面的基本物理參量,為一切動力學系統(tǒng)和時序過程的測量和定量研究提供了必不可少的時基坐標.對日常生活來說,對時間的概念一般精確到分鐘就足夠了,即使在衛(wèi)星導航應用方面,測量到納秒也完全滿足需要.然而在很多大型物理實驗中,時間間隔測量作為一種重要的鑒別和探測手段,對測量的精度要求非常嚴格(到ps量級),如何提高時間測量的精度成為物理學家孜孜以求的目標.隨著科學技術

2、的進展,許多精確測量時間的方法被陸續(xù)提出,比如電流積分技術、計數(shù)器技術、模擬放大技術、內(nèi)插技術等等,其中內(nèi)插技術是獲得ps量級測量精度的主要手段.該論文對新近發(fā)展起來并已經(jīng)較為成熟的DLL+RC延遲的兩級時間內(nèi)插方案進行了一系列研究,以CERN微電子組研制的HPTDC芯片作為這種內(nèi)插方案的代表,我們分析了該方案所能達到的設計指標,然后根據(jù)實際測得的參數(shù)提出了兩種提高精度的措施.為了驗證我們的研究的正確性,參考北京譜儀三期重大改造工程BE

3、S Ⅲ中飛行時間電子學(TOF)測量的精度需求,我們設計了驗證電路并進行了一系列的測試.第一章從兩個大型物理實驗中高精度時間測量應用場合的例子出發(fā),介紹了在時間測量方法發(fā)展過程中比較重要的技術,討論的重點放在時間分辨和動態(tài)范圍兩個方面,功耗也是一個值得注意的因素.第二章描述了時間-數(shù)字轉(zhuǎn)換電路(TDC)中常用的技術指標,比如INL和DNL,這些指標刻畫了TDC的性能,是限制TDC精度的主要因素.同時,這一章簡要分析了TDC電路中動態(tài)誤差

4、的各種來源.第三章分析了高能物理實驗對TDC性能的特殊需求,并介紹了幾個應用于高能物理實驗的TDC的研究成果.第四章介紹基于DLL+RC延遲的兩級時間內(nèi)插方案的典型代表-HPTDC芯片.該章首先計算了采用DLL+RC內(nèi)插所能取得的理論精度,然后介紹了該芯片的結構、各部分功能和使用方法.第五章根據(jù)TDC電路固有的INL誤差提出了兩種提高精度的方法,一種是INL修正,一種是同步時間放大.該章詳細敘述了兩種方案的實現(xiàn)途徑.第六章首先介紹BES

5、 Ⅲ中主漂移室(MDC)和TOF兩個時間測量場合所需要的測量精度,然后根據(jù)TOF的測量需求分析TOF的測量過程,提出驗證電路設計的參考技術指標,并結合TOF的具體應用詳細介紹了包括峰值檢測器在內(nèi)的一系列軟硬件的設計.第七章講述了驗證電路的測試方案、測試過程以及測試結果,并對測試結果進行定性或定量的分析.從結果來看,驗證電路能達到預期的設計指標,說明我們圍繞DLL+RC內(nèi)插的時間測量方案的一系列研究是成功的.第八章介紹了時間測量方法的一些