1、隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，功率器件的研究受到了廣泛關(guān)注，SOI(Silicon-on-Isolation) 技術(shù)以其理想的介質(zhì)隔離性能，相對(duì)簡(jiǎn)單的隔離工藝受到研究的重視。但是相比于體硅功率器件，SOI 功率器件的縱向耐壓小，這是由于埋氧層的引入削弱了RESURF效應(yīng)。另外，在較厚埋層的情況下，器件有著明顯的自加熱和Kink效應(yīng)，這對(duì)于器件性能的穩(wěn)定性影響顯著。 本文提出了新型的埋層材料來(lái)達(dá)到減小SOI LDMOS的兩個(gè)主要缺點(diǎn)

2、的目的。首先，研究了SON（Silicon-on-Nothing） LDMOS器件，該器件采用了介電常數(shù)更小的真空作為埋層，改進(jìn)了SOI LDMOS中縱向耐壓小的缺點(diǎn)，并且因?yàn)榭梢詫⒖斩绰駥幼龅母。@在一定程度上也改進(jìn)了器件的自加熱效應(yīng)。 但是，對(duì)于SON LDMOS而言，MOS功率器件常見(jiàn)的較長(zhǎng)漂移區(qū)可能帶來(lái)問(wèn)題，因?yàn)榭斩磳訒?huì)引起器件縱向機(jī)械強(qiáng)度的減小，而且在后續(xù)的封裝中也可能引入問(wèn)題。為此，本文又提出了一種新型的多孔硅LD