1、低維半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料在二十一世紀(jì)納米電子學(xué)中有極大的應(yīng)用潛力，激發(fā)了人們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域的研究興趣。研究該材料中有關(guān)電子屬性有利于理解量子器件原理，例如激光器件中吸收和發(fā)射現(xiàn)象，是非常有意義的課題。
　　 本文主要研究了低維半導(dǎo)體量子點(diǎn)中與電子相關(guān)的一些屬性。討論了長(zhǎng)方體量子點(diǎn)中的電子Stark效應(yīng)（第二章）和外場(chǎng)存在情況下圓柱形量子點(diǎn)中類(lèi)氫雜質(zhì)對(duì)電子的結(jié)合能（第三章）。
　　 在第二章中我們用變分法計(jì)算長(zhǎng)方體GaAs半導(dǎo)體量

2、子點(diǎn)中電子的Stark能移。在低場(chǎng)和高場(chǎng)極限下，給出Stark能移的漸近展開(kāi)式，并發(fā)現(xiàn)在低場(chǎng)極限下Stark能移是電場(chǎng)的二次式，在高場(chǎng)極限下它與電場(chǎng)的關(guān)系是線(xiàn)性的。同樣，通過(guò)漸近展開(kāi)式得到電場(chǎng)方位對(duì)Stark能移的影響。在低場(chǎng)情況下，對(duì)于正方體量子點(diǎn)，最大的Stark能移不依賴(lài)電場(chǎng)的方位，而對(duì)于長(zhǎng)方體量子點(diǎn)，沿一條棱施加電場(chǎng)時(shí)，Stark能移最大；在高場(chǎng)情況下，無(wú)論是長(zhǎng)方體還是正方體量子點(diǎn)，只要電場(chǎng)沿體對(duì)角線(xiàn)施加時(shí)，Stark能移就達(dá)到

3、最大。在有效質(zhì)量的約化下，我們給出了電場(chǎng)以及量子尺寸對(duì)Stark能移影響的數(shù)值結(jié)果，可以看出量子尺寸對(duì)Stark能移有顯著的影響。
　　 在第三章中研究了電子在圓柱形量子點(diǎn)中類(lèi)氫雜質(zhì)的結(jié)合能。采用的量子點(diǎn)模型為：縱向受量子阱勢(shì)，橫向受一個(gè)拋物勢(shì)和可變磁場(chǎng)共同作用的強(qiáng)限制勢(shì)。在這種強(qiáng)的側(cè)面限制下，我們采用一維有效勢(shì)取代三維庫(kù)侖勢(shì)，研究了電場(chǎng)，磁場(chǎng)以及雜質(zhì)位置對(duì)結(jié)合能的影響。當(dāng)雜質(zhì)位于量子點(diǎn)的中心時(shí)，電場(chǎng)使電子遠(yuǎn)離雜質(zhì)中心而磁場(chǎng)使電