微硅電容加速度傳感器單片測試電路中弛張振蕩器的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、微硅傳感器是傳感器的發(fā)展趨勢，隨著技術的發(fā)展，將微硅傳感器和測試電路集成在一塊芯片上構成MEMS(微機電系統(tǒng))更是受到了廣泛的關注。采用CMOS工藝設計出應用在微硅電容加速度傳感器單片測試電路中的弛張振蕩器即是本文的主要研究目的。 本文介紹了微小電容的各種測試方法，分析了采用弛張振蕩器進行測試的原理，并設計出了構成弛張振蕩器所需的電流源、電流開關、控制邏輯以及比較器。最后對弛張振蕩器進行了測試。 由于充放電電流對弛張振蕩

2、器的性能有很大的影響，因此本文把基準電壓源結合在一起設計出一個受溫度、電源電壓、工藝條件影響很小的基準電流參考源。 為了減少比較器延時對振蕩器的影響，比較器采用的是高速比較器，它的延時約為4.5ns。 針對弛張振蕩器溫度性能較差的特點，本文分析了導致弛張振蕩器溫度特性惡化的原因，并提出了單片弛張振蕩器的一種溫度補償方法。利用該種方法，可以方便地提高弛張振蕩器的溫度性能，而沒有增加它的成本以及面積消耗。在弛張振蕩器的其它應

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