1、微帶結(jié)構(gòu)因其自身優(yōu)點而廣泛應(yīng)用在許多領(lǐng)域，為了滿足實際需要，各種新型介質(zhì)材料和微帶結(jié)構(gòu)也應(yīng)運而生。與日益增長的實際應(yīng)用相比，理論分析還需要進(jìn)一步提高。因此，如何快速有效地分析各類復(fù)雜微帶結(jié)構(gòu)是一個緊迫且具有重大理論意義和工程意義的課題。本文緊密結(jié)合現(xiàn)今普遍應(yīng)用硅基的趨勢，對多種硅基微帶結(jié)構(gòu)及其電路應(yīng)用進(jìn)行了分析。本文的主要工作和創(chuàng)新成果可以概括為： 1.根據(jù)單層介質(zhì)上微帶耦合線和雙層介質(zhì)上微帶線電容計算公式，采用“合成漸進(jìn)”法，

2、本文推導(dǎo)出硅基微帶耦合線單位長度的電容計算公式。由電容電感兩重性得到微帶耦合線的特性阻抗和傳播常數(shù)用于實際微波器件的設(shè)計。 2.在單層微帶線等效電路的基礎(chǔ)上，本文以IE3D為工具由數(shù)值方法得出△l，經(jīng)曲線擬合得出硅基微帶線開路端計算公式，并將其用于各種微波電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，對傳輸線的誤差加以修正。我們在研究上述傳輸線特性的同時考慮了硅基的介質(zhì)損耗，使之更加適用于實際情況。 3.基于左手材料LC網(wǎng)絡(luò)模型，對左手傳輸線特性進(jìn)