1、張帆揚帆☆逐月第一章(1)Si具有哪種晶格結(jié)構(gòu)常溫下帶隙值為多大金剛石結(jié)構(gòu)屬于面心立方常溫下帶隙值為1.1242eV(2)淺能級雜質(zhì)的定義，哪個主族的元素摻入Si中能形成n型淺能級雜質(zhì)？哪個主族的元素摻入Si中能形成p型淺能級雜質(zhì)？P16硅晶中的IIIIII族元素和族元素和VIVI族元素雜質(zhì)，它們作為受主和施主時，其族元素雜質(zhì)，它們作為受主和施主時，其電離能的大小并不一樣，但有一個共同的特點，就是電離能與禁帶電離能的大小并不一樣，但有一

2、個共同的特點，就是電離能與禁帶寬度相比都非常小。這些雜質(zhì)所形成能級在禁帶中很靠近價帶頂和寬度相比都非常小。這些雜質(zhì)所形成能級在禁帶中很靠近價帶頂和導帶底，我們稱這樣的雜質(zhì)能級為淺能級雜質(zhì)。導帶底，我們稱這樣的雜質(zhì)能級為淺能級雜質(zhì)。VIVI族元素族元素IIIIII族元素族元素(3)深能級雜質(zhì)的定義，說明深能級雜質(zhì)和缺陷的作用有哪些？一些摻雜半導體中的雜質(zhì)或缺陷在帶隙中引入的能級較深，被稱為一些摻雜半導體中的雜質(zhì)或缺陷在帶隙中引入的能級較深

3、，被稱為深能級雜質(zhì)。一般情況下深能級雜質(zhì)大多為多重能級深能級雜質(zhì)。一般情況下深能級雜質(zhì)大多為多重能級1)1)可以成為有效復合中心，大大降低載流子的壽命；可以成為有效復合中心，大大降低載流子的壽命；2)2)可以成為非輻射復合中心，影響半導體的發(fā)光效率；可以成為非輻射復合中心，影響半導體的發(fā)光效率；3)3)可以作為補償雜質(zhì)，大大提高半導體材料的電阻率。可以作為補償雜質(zhì)，大大提高半導體材料的電阻率。(4)能夠計算SiGe的體原子密度和線密度.

4、原子密度＝晶胞中包含原子個數(shù)原子密度＝晶胞中包含原子個數(shù)晶胞體積晶胞體積硅晶體中的原子密度為：硅晶體中的原子密度為：8a3=51022cm3鍺晶體中的原子密度為：鍺晶體中的原子密度為：Ge=4.421022cm3線密度：張帆揚帆☆逐月?網(wǎng)絡形成者的概念P24可以替代SiO2網(wǎng)絡中硅的雜質(zhì)，也就是能代替SiO四面體中心的硅、并能與氧形成網(wǎng)絡的雜質(zhì)，稱為網(wǎng)絡形成者。?能夠闡述熱氧化的基本過程氧化劑擴散穿過附面層到達氣體－氧化劑擴散穿過附面層