《集成電路設(shè)計(jì)原理》試卷及答案解讀_第1頁(yè)
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1、第1頁(yè)共5頁(yè)電科電科《集成電路原理集成電路原理》期末考試試卷期末考試試卷一、填空題一、填空題1.（1分）年，第一次觀測(cè)到了具有放大作用的晶體管。2（2分）摩爾定律是指。3.集成電路按工作原理來(lái)分可分為、、。4.（4分）光刻的工藝過(guò)程有底膜處理、涂膠、前烘、、、、和去膠。5.（4分）MOSFET可以分為、、、四種基本類型。6.（3分）影響MOSFET閾值電壓的因素有：、以及。7.（2分）在CMOS反相器中，Vin，Vout分別作為PMOS

2、和NMOS的和；作為PMOS的源極和體端，作為NMOS的源極和體端。8（2分）CMOS邏輯電路的功耗可以分為和。9.（3分）下圖的傳輸門陣列中各管的閾值電壓，電路中各節(jié)點(diǎn)的初5DDVV?1TVV?始電壓為0，如果不考慮襯偏效應(yīng)，則各輸出節(jié)點(diǎn)的輸出電壓Y1=V，Y2=V，Y3=V。VDDY1Y3Y210.（6分）寫出下列電路輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式：Y1=；Y2=；Y3=。AABBCCDDVDDY1VDDABY2ABM1M2VDD?M3M4C

3、VV12MMMMP1P2N1N2Y3二、畫圖題：二、畫圖題：（共12分）第3頁(yè)共5頁(yè)4.簡(jiǎn)述動(dòng)態(tài)電路的優(yōu)點(diǎn)和存在的問(wèn)題。四、分析設(shè)計(jì)題：四、分析設(shè)計(jì)題：（共38分1.（12分）考慮標(biāo)準(zhǔn)0.13CMOS工藝下NMOS管，寬長(zhǎng)比為m?WL=，柵氧厚度為，室溫下電子遷移率，0.260.13mm??2.6oxtnm?2220ncmVs??A閾值電壓=0.3V計(jì)算V、V和0.9V時(shí)的大小。已知：TV1.0GSV?0.3DSV?DI，。148.85

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