碳氟感應(yīng)耦合等離子體及其SiO-,2-介質(zhì)刻蝕研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文采用了碳氟感應(yīng)耦合等離子體對(duì)SiO<,2>介質(zhì)進(jìn)行刻蝕并通過(guò)改變?cè)礆怏w流量比R(R=[C<,4>F<,8>]/{[C<,4>F<,8>]+[Ar]})、射頻源功率、自偏壓等條件對(duì)其進(jìn)行了研究。碳氟等離子體由朗謬爾探針(Langmuir Probe)和發(fā)射光譜(OES)監(jiān)測(cè)。結(jié)果表明，SiO<,2>的刻蝕速率隨放電源功率和射頻自偏壓的增大而單調(diào)上升。但不隨R單調(diào)變化，而是在R=8％處存在刻蝕速率峰值。C<,2>基團(tuán)的發(fā)射譜線強(qiáng)度隨R的

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