1、化學氣相淀積法(即CVD法)被廣泛地應用于碳化硅(SiC)外延生長當中，而在SiC材料的生長過程中發(fā)現(xiàn)，CVD設備反應室內(nèi)的溫度場分布是影響SiC晶體薄膜的重要因素之一。用于外延生長的LPCVD設備中采用了高頻感應加熱的方式。由于反應室內(nèi)的傳熱條件基本保持不變，因此，反應室內(nèi)的電磁場的分布很大程度上決定了溫度場的分布。本文的選題即沿此展開，對LPCVD反應室有關電磁場分布的問題進行了研究和分析。 本文介紹了感應加熱的基本技術以及

2、在生長過程中所應用到的一些原理和效應，推導了感應加熱基本方程。簡述了電磁場分析中應用較為廣泛的幾種方法，著重介紹了有限元法的原理和特點。 應用有限元模擬軟件COMSOL Multiphysics中AC/DC分析模塊，建立了反應室有限元分析模型，重點對影響反應室內(nèi)電磁場分布的線圈匝數(shù)、電流密度、頻率等感應加熱條件進行了模擬研究和分析，模擬結果表明，隨著上述加熱條件的改變，反應室內(nèi)電磁場的數(shù)值大小和分布也會有相應的變化，根據(jù)模擬結果