CMOS射頻集成電路的低噪放模塊的設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、多種無線通訊系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展,使無線通訊系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊—射頻集成電路,成為當前的研究熱點。由于市場對重量輕、體積小、功率低、成本低的收發(fā)器的需求的迅速增加,提高收發(fā)器的集成度成為解決上述需求的重要途徑。而傳統(tǒng)的工藝如砷化鎵(GaAs)工藝等不能集成低壓大規(guī)模數(shù)字IC和D/A轉(zhuǎn)換器,已經(jīng)不能滿足集成芯片(SOC)的要求。盡管基于鍺硅工藝的硅異質(zhì)結(jié)器件可以用于射頻電路設(shè)計,但隨著特征尺寸的減小,電源電壓的降低,器件的線性度退化會比較嚴重。而

2、CMOS由于工藝的飛速發(fā)展,從而在射頻IC的應用成為可能,并且可以與數(shù)字IC集成,再加上它的低成本和低功耗的優(yōu)勢,已成為射頻集成電路的研究熱點方向。本文主要研究應用于2.4GHz Bluetooth射頻前端的基于CMOS工藝的低噪聲放大器模塊的實現(xiàn)方法。 本文對MOS管的射頻特性、噪聲特性以及電路中的無源器件的特性進行了分析,系統(tǒng)研究了提高無源器件性能的方法,提出了增加片上電感品質(zhì)因數(shù)O值的技術(shù)途徑;接著對RFIC的幾種常用的接

3、受機架構(gòu)的性能指標進行了比較,并根據(jù)SOC的特點,選擇了適合的架構(gòu)來進行電路設(shè)計;最后分析了目前較為流行的幾種LNA實現(xiàn)方式,比較了它們在增益、噪聲、線性度、輸入阻抗和功耗等方面的性能,提出了一個單端形式的L-degenerated級聯(lián)LNA結(jié)構(gòu),并采用ADS軟件對LNA進行了優(yōu)化。最后采用了Cadence中的Vitrtuoso工具完成了對電路版圖的布局和優(yōu)化。 從理論上分析了影響LNA的線性度和噪聲的因素,由此提出了一種可以較

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