1、JBS肖特基整流管由于具有高擊穿電壓、低漏電流、低正向壓降及抗浪涌電流強等優(yōu)點，在移動通訊、電源及高頻大功率電子電路中有著廣泛的應用。恒流二極管（CRD）由于價格便宜、恒流性能優(yōu)良、使用方便等優(yōu)勢，是構成各種電子設備的恒流源、保護電路的重要組成部分。近年來，隨著發(fā)光二極管（LED）產業(yè)的飛速發(fā)展，越來越多的使用者將JBS肖特基整流管與CRD應用于LED供電線路中，使二者同時也得到快速發(fā)展，本論文對二者分別進行了相應的研究，主要開展的工作

2、如下：
　　1、設計并成功制備了一種20A/600V硅基JBS肖特基整流管。有源區(qū)采用了蜂窩狀分布結構，邊緣采用了場限環(huán)、TEOS-BPSG、多晶硅和SiO2復合型終端結構，經過測試發(fā)現(xiàn)，在正向壓降不大于1.5V的情況下，正向電流可達到20A；反向擊穿電壓(在反向漏電流不大于100μA情況下)可達到600V。并對其溫度特性進行了研究，結果表明：隨著環(huán)境溫度的升高，器件的正向壓降不斷降低；反向擊穿電壓不斷增高，反向泄漏電流也逐漸增大

3、。
　　2、設計了一種40mA/120V硅基垂直溝道環(huán)形分布擴散結恒流二極管。有源區(qū)設計為P+環(huán)相間分布的形式，終端采用了場限環(huán)結構。通過Atlas數(shù)值仿真工具對恒流二極管的P+擴散區(qū)間距、擴散結深等參數(shù)進行了相應的數(shù)值模擬，并對器件的溫度特性進行了研究。通過初步的工藝制備并測試發(fā)現(xiàn)，器件未達到預期的恒流目標。經過數(shù)值仿真及理論分析，發(fā)現(xiàn)造成器件性能較差的原因主要是P+擴散區(qū)結深不夠及P+擴散區(qū)形貌分布不佳，使得溝道長寬比不能滿足