1、對于傳統(tǒng)的單一芯片低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO），往往需要外接一個微法級別的電容（常稱為輸出電容）。輸出電容與其等效串聯(lián)電阻（ESR）形成一個左半平面零點，以抵消次極點對電路穩(wěn)定性的影響。因此，輸出電容的大小，以及其等效串聯(lián)電阻（ESR）的大小對電路穩(wěn)定性具有非常重要的作用，從而導致 ESR的選取范圍非常小。甚至，有些情況下，電容本身的ESR達不到所要求的值，往往需要與輸出電容串聯(lián)一個歐姆級別的電阻。該歐姆級別的電阻，將嚴重影響LDO的瞬態(tài)

2、響應特性和電源抑制比（PSRR）。不僅如此，通常情況下，實際電容的容值及其ESR的阻值與電容兩端的電壓、環(huán)境溫度、應用頻率等都有關系，尤其是環(huán)境溫度和電容兩端的電壓。隨著環(huán)境溫度和電容兩端電壓的變化，實際電容的容值及其ESR的大小可能變化非常大，導致電路正常工作的溫度范圍顯著降低。
　　本研究對LDO的基本工作原理進行了介紹。隨后對LDO的各項參數(shù)指標的定義進行了詳細的闡述。然后，再由簡單的彌勒效應，引出本文所提出的頻率補償方式。

3、緊接著，對瞬態(tài)響應過程進行了詳細的介紹。在以上的基礎之上，設計了一款高穩(wěn)定性、快速響應的LDO。該設計基于32V的雙極工藝，電路主要包括偏置模塊、基準與誤差放大模塊、驅動和功率輸出模塊、關斷模塊和過熱保護模塊?？紤]到瞬態(tài)響應性能，輸出端外接微法級輸出電容?？紤]到穩(wěn)定性，在輸出端與誤差放大器輸出節(jié)點之間增加了極點分裂的補償電容。最后，本文還提出了一種簡單的提高瞬態(tài)響應的方法。Spectre仿真結果表明，所設計的 LDO，輸出電壓為-5V（

4、±3％），負載電流范圍為1mA~200mA，壓差電壓為230mV，負載調(diào)整率為0.026mV/mA，線性調(diào)整率為2.77mV/V，PSRR約50dB（1kHz）。COUT在1uF~10uF內(nèi)變化，ESR在10mΩ~3Ω內(nèi)變化，電路均可穩(wěn)定。COUT=10uF，ESR=10mΩ，ILOAD在1mA-200mA跳變，VOUT最大跳變量小于1%，50us內(nèi)穩(wěn)定。在此基礎上，外接一個10nF的旁路電容（CBYP），VOUT最大跳變量小于0.5%