1、光刻膠剝離技術(shù)是MEMS器件制造工藝的重要組成部分。它的基本流程為先進(jìn)行光刻；然后在其上淀積金屬膜；最后，使用不腐蝕金屬膜的溶劑將光刻膠去除。光刻膠上的金屬會(huì)隨著光刻膠的去除而被剝離，最后留下需要的金屬圖案。
　　本課題研究了光刻膠剝離工藝中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)的幾個(gè)主要缺陷，并分析了它們產(chǎn)生的原因，隨后通過對(duì)工藝實(shí)驗(yàn)的研究，調(diào)整并優(yōu)化了剝離工藝的各個(gè)工序。首先，分析了硅片表面紅色印記產(chǎn)生的原因，通過然后改進(jìn)剝離工藝清洗步驟的流程，通過即增

2、加一步IPA清洗的方法，徹底解決了硅片表面紅色印記的缺陷。然后，將剝離工藝進(jìn)行工藝標(biāo)準(zhǔn)化，并在標(biāo)準(zhǔn)化過程中，發(fā)現(xiàn)了剝離殘留產(chǎn)生的原因，通過對(duì)工藝的優(yōu)化，解決掉了剝離殘留的缺陷。分析并闡述了碎屑反沾缺陷產(chǎn)生的原因，并通過在超聲步驟之后增加一個(gè)水槍沖洗的步驟，基本肅清了碎屑反沾的問題。研究了硅片邊緣剝離異常產(chǎn)生的原因，并通過光刻工藝涂膠步驟的工藝優(yōu)化，從根本上解決了硅片邊緣剝離異常的問題從而從根本上解決了這一問題。從負(fù)性光刻膠的原理上分析了