1、自石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，由于其具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)而引起了人們的廣泛關(guān)注.考慮到電子器件的實(shí)際應(yīng)用，有關(guān)石墨烯帶隙問題的研究成為了人們的一個(gè)研究熱點(diǎn).本文中我們利用傳遞矩陣方法研究了電子的入射角度、帶隙寬度、系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)參數(shù)、Fibonacci迭代次數(shù)和磁場(chǎng)等對(duì)Fibonacci有帶隙石墨烯超晶格的電子輸運(yùn)特性和散粒噪聲的影響.結(jié)果敘述如下:
　　首先，我們研究了Fibonacci有帶隙石墨烯超晶格中電子的輸運(yùn)性質(zhì)及散粒噪聲.計(jì)算結(jié)果

2、表明:隨著有帶隙石墨烯超晶格的勢(shì)壘高度的增加，隧穿幾率、電導(dǎo)和Fano因子曲線的共振峰向帶隙增大的方向移動(dòng).隨著電子入射角度的增加，無論體系是否存在帶隙，隧穿曲線都出現(xiàn)許多共振峰，并且隨著體系迭代次數(shù)的增加，共振峰的數(shù)目也在增加.隨著帶隙寬度的增加，當(dāng)電子垂直入射時(shí)，Klein隧穿不再出現(xiàn);體系的電導(dǎo)值逐漸減小，而Fano因子卻在逐漸增大.因此我們得出，帶隙的存在抑制了電子在有帶隙石墨烯超晶格中的輸運(yùn).隨著電子入射能的增加，非零帶隙石墨

3、烯的隧穿譜會(huì)在電子的某一入射能處打開一條能隙，即所謂的零平均波數(shù)隙，并且該隙的位置可由公式確定.同時(shí)，隨著電子費(fèi)米能量的增加，電導(dǎo)會(huì)在某一電子費(fèi)米能量處出現(xiàn)最小值，而Fano因子則會(huì)在相應(yīng)的位置出現(xiàn)最大值.
　　其次，我們研究了磁場(chǎng)下周期第三代Fibonacci有帶隙石墨烯超晶格中的電子輸運(yùn)特性及散粒噪聲.計(jì)算結(jié)果表明:隨著電子入射角度的增加，隧穿幾率曲線出現(xiàn)許多共振峰.隨著電子入射能的增加，隧穿譜會(huì)在電子的某一入射能處打開一條能

4、隙，即所謂的零平均波數(shù)隙，該隙的位置可由公式得出.另外，隨著電子費(fèi)米能量的增加，電導(dǎo)在Dirac點(diǎn)處出現(xiàn)最小值或最小值平臺(tái)，F(xiàn)ano因子則出現(xiàn)最大值或最大值平臺(tái)，即泊松平臺(tái).隨著帶隙寬度的增加，即使磁場(chǎng)強(qiáng)度為零，Klein隧穿也不再出現(xiàn)，并且零平均波數(shù)隙的寬度也隨之增加;同時(shí)，電導(dǎo)振蕩減小，最終出現(xiàn)零值平臺(tái);Fano因子振蕩增大，最終出現(xiàn)泊松平臺(tái).隨著磁場(chǎng)強(qiáng)度的增加，隧穿曲線關(guān)于電子垂直入射的對(duì)稱性被破壞，共振峰數(shù)目減少.即使帶隙為零，