壓阻式壓力傳感器溫補(bǔ)模型的分析與標(biāo)定.pdf_第1頁(yè)
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1、海洋環(huán)境的開發(fā),環(huán)境污染的治理,宇宙的探測(cè),醫(yī)藥工程的研究等工業(yè)生產(chǎn)、日常生活對(duì)壓力傳感器有非常大的市場(chǎng)需求,壓阻式壓力傳感器憑借其穩(wěn)定性好、靈敏度高、頻率響應(yīng)的范圍寬、體積小、便于集成化等特點(diǎn)已經(jīng)成為目前發(fā)展最為迅速而且使用非常廣泛的壓力傳感器。由于壓阻式壓力傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體硅材料的壓阻效應(yīng)原理制作而成的,而半導(dǎo)體材料材料對(duì)溫度具有非常高的敏感性,因此壓阻式壓力傳感器的輸出必然也會(huì)受到溫度的影響,從而產(chǎn)生溫度漂移。溫度漂移嚴(yán)重制約了

2、傳感器的靈敏度以及測(cè)量精度,因此對(duì)傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償具有非常重要的意義。
  本文通過(guò)對(duì)壓阻式壓力傳感器的物理特性進(jìn)行研究,建立傳感器的溫度補(bǔ)償模型,從而確定傳感器的動(dòng)態(tài)行為,替代傳統(tǒng)所用的硬件或者軟件補(bǔ)償方式,從物理特性的根本上解決溫漂問(wèn)題,以此來(lái)提高傳感器的測(cè)量精度及標(biāo)定工作。論文的主要工作為:分析壓阻式壓力傳感器的工作原理,并對(duì)傳感器在制備過(guò)程中的工藝流程進(jìn)行闡述,在此基礎(chǔ)上詳細(xì)分析傳感器溫度漂移產(chǎn)生的原因;分析傳感器的硅彈

3、性薄膜在外部壓力作用下的應(yīng)力分布,在小撓度理論的基礎(chǔ)上得出彈性薄膜上應(yīng)力、應(yīng)變的具體表達(dá)式;分析溫度對(duì)半導(dǎo)體材料阻值的影響,研究摻雜濃度與電阻溫度系數(shù)之間的關(guān)系,建立與溫度和摻雜濃度有關(guān)的電阻值的數(shù)學(xué)模型;分析溫度和摻雜濃度對(duì)壓阻系數(shù)的影響,建立與溫度和摻雜濃度有關(guān)的壓阻系數(shù)的數(shù)學(xué)模型;基于封裝應(yīng)力產(chǎn)生的原因,研究硅材料和襯底材料的熱膨脹系數(shù)與溫度的關(guān)系,建立封裝應(yīng)力的數(shù)學(xué)模型;研究單晶硅材料的楊氏模量與溫度的關(guān)系,建立楊氏模量隨溫度變

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