1、光子晶體被認為是未來的半導體，它可以如人所愿地控制光子的運動。由于其獨特的特性，光子晶體可以制作全新原理或以前所不能制作的高性能器件，在光通信上有重要的用途，如用光子晶體器件來替代傳統(tǒng)的電子器件，通信的速度將會快得無法想象。左手物質是最近幾年才提出的一種全新的人工合成材料，并且由于其獨特的性質和廣闊的應用前景而倍受關注。結合這兩種材料，本文研究了含左手物質的一維光子晶體的傳輸特性，與常規(guī)一維光子晶體相比，這種結構具有許多新的特性。本文主

2、要工作如下： 利用傳輸矩陣法分析了含左手物質的一維二元光子晶體的傳輸特性。我們發(fā)現(xiàn)，零平均折射率帶隙不隨結構的層數(shù)的變化而變化，也不隨結構尺寸的改變而改變。引入一個缺陷后，缺陷模的位置和數(shù)目與缺陷的引入方式和缺陷本身的物質特性有關；缺陷層引入的位置的變化也會引起缺陷模的變化，當缺陷層位于結構中間時，缺陷模最強。引入兩個缺陷之后，當缺陷相同時，缺陷間的相互作用與它們的間隔成反比，當缺陷間隔比較大時，相互作用比較小，其缺陷模是簡并的

3、；隨著間隔的減小，相互作用變大，簡并的缺陷模將發(fā)生分裂，間隔越小分裂越明顯，而且這種現(xiàn)象與缺陷模所處帶隙以及結構本身的構成無關。若兩個缺陷不同，其缺陷模將不存在分裂現(xiàn)象。 此外，分析了含左手物質的一維三元光子晶體的傳輸特性。首先從基本的邊界條件和著名的Bloch理論出發(fā)，推導并且分析了這種結構的色散方程，預測存在一種不同于傳統(tǒng)Bragg帶隙的新帶隙。然后利用傳輸矩陣法理論分析了這種結構的傳輸特性，證實了新帶隙的存在，同時發(fā)現(xiàn)結構